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| De que depende la tension de umbral de un diodo? https://www.tecnicosaurios.com/foro/viewtopic.php?f=39&t=36746 |
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| Autor: | Nico2010 [ Mié Ene 15, 2014 11:09 pm ] |
| Asunto: | De que depende la tension de umbral de un diodo? |
Hace poco me preguntaron por que los diodos de silicio tienen aprox. 0,7V de tension de umbral y los de germanio unos 0,3V y por que hay algunos de silicio que tienen 0,5V. Como no encontré una respuesta en la red aprovecho para explicarlo aca ya que seguro les va a interesar. Voy a dar una explicacion breve y a poner solo la ecuacion pero no la demostracion por que es medio complicada. Ahi vamos... La tension de umbral en los semiconductores depende basicamente de la temperatura, de la concentracion de portadores instrinsicos del semiconductor y de la cantidad de impurezas que donoras y aceptoras que tenga este. Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni) Siendo:
Como (ni) en el germanio a temperatura ambiente es casi el doble que en el silicio hace que la tension caiga casi a la mitad para la misma concentracion Na y Nd. Saludos! |
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| Autor: | Nico2010 [ Mié Ene 15, 2014 11:11 pm ] |
| Asunto: | Re: De que depende la tension de umbral de un diodo? |
Perdon, me equivoqué la ecuacion es: Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni^2) Saludos! |
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