Fecha actual Jue Mar 28, 2024 8:53 am

Todos los horarios son UTC - 3 horas



Reglas del Foro


Todos los comentarios y opiniones expresadas por los usuarios en los foros son de exclusiva responsabilidad de sus autores. Tecnicosaurios.com no acepta ningún tipo de responsabilidad por los comentarios de los usuarios en los foros que son de índole pública, ni por las consecuencias de utilizar la información recogida en los mismos. Está absolutamente prohibido por Reglamento General de Tecnicosaurios.com, la publicación de contenidos protegidos por las leyes de copyright sin mediar la autorización de los dueños de dicha propiedad intelectual.
Copyright 2008-2015 Todos los derechos reservados



Nuevo tema Responder al tema  [ 2 mensajes ] 
Autor Mensaje
NotaPublicado: Mié Ene 15, 2014 11:09 pm 
Desconectado
Usuario Avanzado
Usuario Avanzado

Registrado: Jue Mar 18, 2010 9:32 pm
Mensajes: 166
Ubicación: Buenos Aires
Ciudad: Argentina
Level: 11
HP: 0 / 272
0 / 272
MP: 130 / 130
130 / 130
EXP: 166 / 167
166 / 167
Hace poco me preguntaron por que los diodos de silicio tienen aprox. 0,7V de tension de umbral y los de germanio unos 0,3V y por que hay algunos de silicio que tienen 0,5V. Como no encontré una respuesta en la red aprovecho para explicarlo aca ya que seguro les va a interesar. Voy a dar una explicacion breve y a poner solo la ecuacion pero no la demostracion por que es medio complicada. Ahi vamos...
La tension de umbral en los semiconductores depende basicamente de la temperatura, de la concentracion de portadores instrinsicos del semiconductor y de la cantidad de impurezas que donoras y aceptoras que tenga este.

Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni)

Siendo:
  • Vu - la tension de umbral
  • K - la constante de Boltzman
  • T - la temperatura en grados Kelvin
  • q - la carga del electron
  • Na - la concentracion de impurezas aceptoras
  • Nd - la concentracion de impurezas donoras
  • ni - la concentracion de portadores intrinsica del semiconductor (que depende de la temperatura)

Como (ni) en el germanio a temperatura ambiente es casi el doble que en el silicio hace que la tension caiga casi a la mitad para la misma concentracion Na y Nd.

Saludos!


Arriba
 Perfil Enviar mensaje privado  
 
NotaPublicado: Mié Ene 15, 2014 11:11 pm 
Desconectado
Usuario Avanzado
Usuario Avanzado

Registrado: Jue Mar 18, 2010 9:32 pm
Mensajes: 166
Ubicación: Buenos Aires
Ciudad: Argentina
Level: 11
HP: 0 / 272
0 / 272
MP: 130 / 130
130 / 130
EXP: 166 / 167
166 / 167
Perdon, me equivoqué la ecuacion es:

Vu = [(K.T)/q]*ln([Na.Nd]/ni^2)

Saludos!


Arriba
 Perfil Enviar mensaje privado  
 
Mostrar mensajes previos:  Ordenar por  
Nuevo tema Responder al tema  [ 2 mensajes ] 

Todos los horarios son UTC - 3 horas


¿Quién está conectado?

Usuarios navegando por este Foro: No hay usuarios registrados visitando el Foro y 1 invitado


No podés abrir nuevos temas en este Foro
No podés responder a temas en este Foro
No podés editar tus mensajes en este Foro
No podés borrar tus mensajes en este Foro
No podés enviar adjuntos en este Foro

Buscar:
Saltar a:  
Web Button Image by Free-Web-Buttons.com v2.0 Powered by phpBB® Forum Software © phpBB Group
Traducción al español argentino por xirox con la colaboración de phpBB-Es.com
Traducción actualizada por nextgen